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    Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) autodenominada como una “Solid State Technology Association”, es la rama de la “Alianza de Industrias…
    2 kB (132 palabras) - 17:56 16 ene 2024
  • Miniatura para Electrón
    En física, el electrón (del griego clásico ἤλεκτρον ḗlektron 'ámbar'), comúnmente representado por el símbolo e−, es una partícula subatómica con una carga…
    133 kB (14 628 palabras) - 01:00 7 mar 2024
  • Miniatura para Metro cuadrado
    Triangle Using a Watt Balance, a Calculable Capacitor, and a Single-Electron Tunneling Device Datos: Q25343 Multimedia: Category:Square metre / Q25343…
    7 kB (463 palabras) - 19:29 29 abr 2024
  • latchup, IEEE Electron Device Letters, vol. EDL-6, no. 2, February, 1985. R.W. Dutton, Modeling and simulation for VLSI, International Electron Devices Meeting…
    18 kB (2292 palabras) - 21:35 8 oct 2023
  • Miniatura para Supriyo Bandyopadhyay
    Circuitos Semiconductores Compuestos (Electron Device Society). Fue profesor distinguido de la IEEE Electron Device Society de 2005 a 2012, y fue profesor…
    5 kB (591 palabras) - 15:17 9 mar 2024
  • Miniatura para Siegfried Selberherr
    1996 y 2020 el Prof. Selberherr fue conferenciante distinguido de la IEEE Electron Devices Society. El Prof. Selberherr fue decano en Facultad de Ingeniería…
    8 kB (1044 palabras) - 16:09 18 feb 2024
  • Miniatura para Láser excimer
    et al., “Ultrafast deep-UV lithography with excimer lasers”, IEEE Electron Device Lett., Vol. EDL-3, 53 (1982): http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all…
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  • Miniatura para Memoria flash
    (1984-12). «A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology». 1984 International Electron Devices Meeting: 464-467. doi:10.1109/IEDM.1984.190752…
    38 kB (4831 palabras) - 01:04 14 ene 2024
  • Miniatura para Intel 4004
    International Electron Device Meeting on October 23, 1968 in Washington D.C.. It was the first and only commercial process technology for the fabrication…
    11 kB (1374 palabras) - 16:07 6 mar 2024
  • Miniatura para Fotodetector
    convierte los fotones de luz en corriente. Los fotones absorbidos forman pares electrón-hueco en la región de agotamiento. Los fotodiodos y los fototransistores…
    19 kB (2385 palabras) - 18:54 20 feb 2024
  • et al., “Ultrafast deep-UV lithography with excimer lasers”, IEEE Electron Device Lett., Vol. EDL-3, 53 (1982). http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all…
    9 kB (1236 palabras) - 01:32 12 ene 2024
  • 2348891.  Atkinson, William J.; Seidler, William A. (2007). «Impact of device scaling and material composition on the soft error rates in avionic systems»…
    5 kB (564 palabras) - 23:03 16 mar 2024
  • Miniatura para Fusor (dispositivo)
    Institute of Technology, 2007 "Preliminary Results of Experimental Studies from Low Pressure Inertial Electrostatic Confinement Device" Journal of Fusion…
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  • Miniatura para Electróforo
    negativa. Se origina una corriente de carga negativa (circulación de electrones) desde el disco hasta la tierra, que cesa cuando el potencial del disco…
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  • Miniatura para Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
    oxidación térmica, como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de óxido nativo…
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  • Miniatura para Acorn Atom
    Acorn Electron (una versión barata del BBC Micro). El Atom era una progresión de las máquinas basadas en el microprocesador 6502 de MOS Technology que la…
    6 kB (685 palabras) - 15:21 18 ene 2024
  • Miniatura para Pantalla plana
    «Silicon-silicon dioxide field induced surface devices». IRE-AIEE Solid State Device Research Conference.  Weimer, Paul K. (Junio de 1962). «The TFT A New Thin-Film…
    26 kB (2946 palabras) - 19:40 20 nov 2023
  • Elsevier Series in Semiconductors and Semimetals (2010-presente), IEEE Electron Device Letters (2008-2014), Light: Science and Applications of Nature Publishing…
    8 kB (953 palabras) - 23:08 10 nov 2023
  • Miniatura para Estación de radio
    p.335 Sōgo Okamura (ed), History of Electron Tubes, IOS Press, 1994 ISBN 90-5199-145-2 page 20 «US841387A - Device for amplifying feeble electrical currents…
    23 kB (3213 palabras) - 06:16 30 mar 2024
  • Meyerson, "UHV/CVD growth of Si and Si:Ge alloys: chemistry, physics, and device applications," in Proceedings of the IEEE, vol. 80, no. 10, pp. 1592-1608…
    12 kB (1520 palabras) - 01:14 19 dic 2023
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