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- (1984-12). «A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology». 1984 International Electron Devices Meeting: 464-467. doi:10.1109/IEDM.1984.190752…38 kB (4831 palabras) - 01:04 14 ene 2024
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- 2348891. Atkinson, William J.; Seidler, William A. (2007). «Impact of device scaling and material composition on the soft error rates in avionic systems»…5 kB (564 palabras) - 23:03 16 mar 2024
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- tamaño. 2001 Technology Extended ITX 215 × 195 mm (Technologies VIA) MiniITX: 170 × 170 mm NanoITX: 120 × 120 mm PicoITX: 100 × 72 mm Technology Extended